RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,343.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,135.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,343.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
843
2339
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link