RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
3529
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link