RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
56
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2571
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link