RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
52
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2965
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link