RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3587
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link