RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2356
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.C16FH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link