RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3666
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link