RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3519
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link