A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Wynik ogólny

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Wynik ogólny

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Większa szybkość odczytu, GB/s

2 15.2

Średnia wartość w badaniach

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 66

Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.8 1,557.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 6400

Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

66 30
Prędkość odczytu, GB/s

2,775.5 15.2
Prędkość zapisu, GB/s

1,557.9 11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps

6400 23400

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

382 2913

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB