RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2773
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-053.A00LF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link