RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
57
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
57
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2792
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link