RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2786
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link