RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3273
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link