RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3384
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link