RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1699
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link