RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
46
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3702
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link