RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4114
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link