RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3361
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link