RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3214
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link