RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2633
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link