RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
AMD AE34G1601U1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
AMD AE34G1601U1 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD AE34G1601U1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
73
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
67
73
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
998
1724
AMD AE34G1601U1 4GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link