RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Porównaj
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Wynik ogólny
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
1609
AMD R5S38G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link