RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3418
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link