RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3561
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link