RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3632
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link