RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3098
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link