RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
67
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2030
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link