RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
81
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1651
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link