RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2308
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link