RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1338
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link