RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
55
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2293
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link