RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
94
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
94
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1334
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link