Porównanie pamięci RAM Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Wynik ogólny

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

20 43

Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.3 14.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.0 7.8

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2568 2128

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns