RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
77
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2482
1549
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link