RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2600
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link