RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Porównaj
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3043
2509
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link