RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
30
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3119
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link