RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
22
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3166
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link