RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2659
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link