RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2703
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link