RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3230
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link