RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2566
3208
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link