RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3204
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link