RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2601
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link