RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
4174
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link