RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3845
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link