RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3722
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link