RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
4124
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link