RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3987
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link