RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2732
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link